光刻鍵合工藝 刻蝕工藝 薄膜沉積和擴散工藝 封裝測試工藝 測量分析 位置:首頁 > 工藝能力   
 
  薄膜沉積和擴散工藝
 
   
  
金屬膜工藝
濺射Ti、Pt、Au、Al、Cu、Cr
濺射AlN、TiN、ITO
蒸發Ti、Pt、Au、Al、Ni、Cr
電鍍Au、Cu、Ni、合金
  
薄膜工藝
熱生長SiO2
LPCVD 生長SiN
LPCVD 生長SiO2
LPCVD 生長Poly Si
PECVD 沉積SiO2
PECVD 沉積 SiN
  
摻雜注入
硼注入
磷注入
硼擴散
磷擴散

公司介紹 工藝能力 中試代工 企業智庫
公司概況 光刻鍵合工藝    
企業文化 刻蝕工藝  
資質榮譽 薄膜沉積和擴散工藝
  封裝測試工藝
  測量分析
山東博華電子科技發展有限公司
電話:0533-5203583
郵箱:[email protected]
地址:山東省淄博市高新區中潤大道158號

版權所有:山東博華電子科技發展有限公司 Copyright © www.nsatai.live Corporation, All Rights Reserved 備案號: 魯ICP備15001877號
技術支持:ZBYITAI.com  億泰信息  淄博網站建設  淄博網絡推廣
八方女神闯关 1000炮金蟾捕鱼下载 2020010七乐彩开奖结果 南宁小姐微信 车联网怎么收费 广西快乐10分官方网站 澳洲幸运10官网免费下载 熊猫麻将代理个人中心 15选5专家杀号走势图 熊猫麻将群 上海11选5开奖结果 走势图 全国最大的色情网坫 经典老版街机捕鱼 开元棋牌是不是都是机器人 今天山西十一选五开奖结果 情趣内衣sm捆绑 足球巴巴nba直播