光刻鍵合工藝 刻蝕工藝 薄膜沉積和擴散工藝 封裝測試工藝 測量分析 位置:首頁 > 工藝能力   
 
  薄膜沉積和擴散工藝
 
   
  
金屬膜工藝
濺射Ti、Pt、Au、Al、Cu、Cr
濺射AlN、TiN、ITO
蒸發Ti、Pt、Au、Al、Ni、Cr
電鍍Au、Cu、Ni、合金
  
薄膜工藝
熱生長SiO2
LPCVD 生長SiN
LPCVD 生長SiO2
LPCVD 生長Poly Si
PECVD 沉積SiO2
PECVD 沉積 SiN
  
摻雜注入
硼注入
磷注入
硼擴散
磷擴散

公司介紹 工藝能力 中試代工 企業智庫
公司概況 光刻鍵合工藝    
企業文化 刻蝕工藝  
資質榮譽 薄膜沉積和擴散工藝
  封裝測試工藝
  測量分析
山東博華電子科技發展有限公司
電話:0533-5203583
郵箱:[email protected]
地址:山東省淄博市高新區中潤大道158號

版權所有:山東博華電子科技發展有限公司 Copyright © www.nsatai.live Corporation, All Rights Reserved 備案號: 魯ICP備15001877號
技術支持:ZBYITAI.com  億泰信息  淄博網站建設  淄博網絡推廣
八方女神闯关 中国福利彩票青海快3 专利代理费很赚钱 辽宁十一选五 青海快3第26期开奖结果查询 网上麻将软件哪个好 幸运快3大小单双技巧口诀 金7乐开奖结果今天 竞彩篮球大小分 吉林时时彩彩走势图 豪华车跑什么赚钱 4场进球 五子棋简单赢的方法 分分彩官网95692巅峰 香港梭哈棋牌在线下载 360比分直播足球 重庆幸运农场